光絶縁型 SiC-MOSFET ゲートドライバ
高耐圧・高ノイズ環境でも安定動作を実現する次世代ゲート駆動ソリューション
当社が開発した 光絶縁型 SiC-MOSFETゲートドライバは、光信号による完全絶縁と高速伝送を組み合わせることで、SiCデバイスの性能を最大限に引き出す高信頼ゲート駆動モジュールです。
高dv/dt環境や高耐圧が求められる電力変換装置において、従来のフォトカプラやトランス絶縁では難しかった高速性・絶縁性能・ノイズ耐性を同時に実現します。
主な特長
光信号による完全絶縁
電気的結合を排除し、極めて高い絶縁耐圧とノイズ耐性を確保。高dv/dt環境でも誤動作を抑制します。
SiC-MOSFETに最適化した高速ゲート駆動
SiCデバイスの高速スイッチング特性に合わせたドライブ能力を備え、スイッチング損失を低減します。
高いノイズイミュニティ
光絶縁によりコモンモードノイズの影響を受けにくく、DAB方式などの高周波電力変換回路に最適です。
安定した伝送遅延特性
光伝送により伝搬遅延が小さく、温度変動や経年変化の影響も受けにくい安定した動作を実現します。
産業用途に対応した堅牢設計
過電流保護、ゲートクランプ、温度監視など、電力変換装置に必要な保護機能を搭載しています。