次世代半導体が、未来の設計を変えていく
GaNとSiC、それぞれの特性を活かしたモジュールで、性能と柔軟性を両立
GaN
小型・高周波特性を考える次世代半導体
SiC
高電圧・高温に適する次世代半導体
GaNとSiC、それぞれの特性が未来の設計を支える
GaN（窒化ガリウム）は小型・高速動作に優れ、通信機器や電源回路の高効率化に貢献します。
SiC（炭化ケイ素）は高電圧・高温に強く、EVや産業機器でも安定動作を実現します。
それぞれの特性を活かしたモジュールが、次世代の設計課題に応える鍵となります。
GaN
GaN（Gallium Nitride）は、次世代のパワーデバイスに求められるスピードと効率を兼ね備えた革新的な素材。
より小さく、より強く、よりスマートな電力制御を可能にします。
2 in 1
2in1モジュールは、制御と駆動をひとつに。スマートな構成で、設計の自由度と性能を同時に引き上げます。
SiC
SiCモジュールは、過酷な環境でも性能を妥協しない高効率パワーデバイス。次世代の電力制御に、より強く、よりクールな選択肢を。
6 in 1
6in1モジュールは、6つのパワーデバイスを1つに統合した高効率モジュール。省スペース・高性能を両立し、電力制御の最適化に貢献します。
その他
その他（Another）は、既存の分類にとらわれない柔軟な構成や特殊仕様を備えたモジュール群。
多様なニーズに応えるための、自由度と拡張性に富んだ選択肢です。
その１
