2kW SiC-MOSFET搭載 DAB方式 DC/DCコンバータ
高効率・高信頼性を実現する次世代絶縁型DC/DCソリューション
当社が開発した 2kW SiC-MOSFET搭載 DAB（Dual Active Bridge）方式 DC/DCコンバータは、SiCデバイスの高速スイッチング性能とDAB方式の双方向電力変換技術を組み合わせることで、高効率・高耐圧・高信頼性を同時に実現した産業向け電源モジュールです。
高周波絶縁トランスを用いたコンパクト設計により、次世代エネルギーシステムに求められる高性能DC/DC変換を提供します。
主な特長
SiC-MOSFETによる高効率・低損失動作
高速スイッチングと低オン抵抗により、従来のSiデバイスでは難しい高効率化を実現。発熱を抑え、2kWクラスでも安定した連続運転が可能です。
DAB方式による双方向電力変換
位相差制御により、充電・放電の両方向でスムーズな電力制御を実現。蓄電池システムや直流配電に最適です。
高周波絶縁トランスによる小型化と安全性
高周波化により磁気部品を大幅に小型化。絶縁性能を確保しつつ、装置組み込みの自由度を高めます。
広いZVS動作範囲
SiCの高速性を活かし、軽負荷から定格までZVS領域を広く確保。スイッチング損失をさらに低減します。
産業用途に求められる高信頼性設計
過電流・過電圧・温度保護などの保護機能を搭載し、長期運用に耐える堅牢な電源モジュールを実現しています。