ブートストラップ回路搭載 SiC-MOSFET DAB方式 DC/DCコンバータ
高周波駆動を安定化し、高効率・双方向電力変換を実現する絶縁型DC/DCモジュール
当社が開発した ブートストラップ回路搭載 SiC-MOSFET DAB方式 DC/DCコンバータは、Dual Active Bridge（DAB）方式の双方向電力変換技術に、ブートストラップ回路による安定したハイサイド駆動とSiC-MOSFETの高速・高効率特性を組み合わせた高性能電源モジュールです。
高周波スイッチング環境でも確実なゲート駆動を維持し、産業用途に求められる高効率・高信頼性を提供します。
主な特長
ブートストラップ回路による安定したハイサイド駆動
高周波スイッチング時でもゲート電圧を安定供給し、MOSFETのスイッチング性能を最大限に発揮。ドライバ回路の簡素化と高信頼化を両立します。
SiC-MOSFET搭載による高効率化
高速スイッチング・低オン抵抗・高耐圧といったSiCの特性を活かし、従来のSiデバイスでは難しい高効率・低損失動作を実現します。
DAB方式による双方向電力変換
位相差制御により、充電・放電の両方向でスムーズな電力制御が可能。蓄電池システムや直流配電に最適です。
高周波絶縁トランスによる小型化と安全性
高周波化により磁気部品を大幅に小型化し、装置組み込みの自由度を向上。絶縁性能も確保しています。
広いZVS動作範囲
SiCの高速性とブートストラップ駆動の安定性により、軽負荷から定格までZVS領域を広く確保し、スイッチング損失を低減します。
産業用途に対応した保護機能
過電流・過電圧・温度保護などを搭載し、長期運用に耐える堅牢な設計です。